文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
T. V. Serban
发表
Electrical behaviour related to structure of nanostructured GeSi films annealed at 700°C
I. Stavarache, A. Lepadatu, A. Maraloiu, 2012, CAS 2012 (International Semiconductor Conference).