岩本 敏幸

40nm low standby power CMOS 技術

福井 大伸, 今井 清隆, 岩井 正明, 2009, SDM 2009.

Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET( IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

最上 徹, 森岡 あゆ香, 望月 康則, 2004 .

110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性

羽根 正巳, 池澤 健夫, 江崎 達也, 2003 .

40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

福井 大伸, 今井 清隆, 岩井 正明, 2009, SDM 2009.