H. Tranduc

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Modèles du transistor MOS de puissance

K. Djellabi, M. Napieralska, H. Tranduc, 1992 .

Déclenchement des structures thyristor métal oxyde semiconductor (Thys-MOS et MCT) par la composante du courant sous le seuil

H. Tranduc, P. Rossel, J. L. Sanchez, 1995 .

Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts

H. Tranduc, P. Rossel, M. Gamboa, 1979 .

Evaluation des performances du transistor MOS de puissance sur carbure de silicium. Compromis résistance passante, tenue en tension et vitesse de commutation

H. Tranduc, P. Rossel, G. Charitat, 1994 .

Le transistor-thyristor métal-oxyde-semiconducteur (T2 MOS)

M. Gharbi, H. Tranduc, P. Rossel, 1985 .

Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

H. Tranduc, P. Rossel, J. Graffeuil, 1978 .

Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court

P. Rossel, H. Tranduc, G. Sarrabayrouse, 1980 .

Protection des transistors MOS en régime de deuxième claquage

P. Rossel, H. Tranduc, H. Tranduc, 1982 .

Premier et second claquages dans les transistors M.O.S.

P. Rossel, H. Tranduc, H. Tranduc, 1984 .