M. Kunze
发表
W. Bergner,
R. Rupp,
T. Stubbe,
2014
.
A. Vescan,
E. Kohn,
G. Dollinger,
2003
.
A. Vescan,
E. Kohn,
G. Dollinger,
1999
.
E. Kohn,
M. Kunze,
R. Birkhahn,
2004,
IEEE Electron Device Letters.
E. Kohn,
Umesh K. Mishra,
T. Jenkins,
2003
.
A. Strittmatter,
J. Bläsing,
E. Kohn,
2003
.
E. Kohn,
Fernando Ponce,
Jürgen Christen,
2003
.
J. Bläsing,
E. Kohn,
T. Zimmermann,
2004
.
Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(0 0 1) substrates
J. Bläsing,
A. Dadgar,
A. Krost,
2007
.
HF characteristics of InP-based HFETs grown at extremely low temperatures of 300/spl deg/C and below
E. Kohn,
M. Kunze,
B. Henle,
1998,
Conference Proceedings. 1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.98CH36129).
Andrei Vescan,
E. Kohn,
A. Bergmaier,
1999
.
J. Bläsing,
A. Dadgar,
A. Krost,
2004
.
E. Kohn,
M. Kunze,
P. Benkart,
2006,
IEEE Electron Device Letters.
E. Kohn,
Armin Dadgar,
A. Diez,
2004
.
E. Kohn,
M. Kunze,
H. Witte,
2004,
Proceedings. IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2004..
A. Dadgar,
A. Krost,
M. Kunze,
2002
.
J. Bläsing,
A. Dadgar,
A. Krost,
2013
.
E. Kohn,
M. Kunze,
M. Neuburger,
2004,
IEEE Electron Device Letters.
J. Bläsing,
M. Neuburger,
A. Dadgar,
2005
.