辰巳 徹

ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成

最上 徹, 山本 豊二, 深井 利憲, 2002 .

Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス( 先端CMOSデバイス・プロセス技術)

羽根 正巳, 池澤 健夫, 山本 豊二, 2006 .

SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御( IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

高橋 健介, 渡辺 啓仁, 渡部 宏治, 2007 .

Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET( IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

最上 徹, 森岡 あゆ香, 望月 康則, 2004 .

組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

望月 康則, 高橋 健介, 辰巳 徹, 2005 .