Mokhlesi Nima

128Gb 3-Bit Per Cell NAND Flash Memory on 19nm Technology with 18MB/s Write Rate

Pham Tuan, Li Yan, Kamei Teruhiko, 2012 .

18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

Chen Chen, Li Yan, Lee Seungpil, 2012 .

[依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー

磯部 克明, Kamei Teruhiko, Mokhlesi Nima, 2009 .