H. Tranduc

Technological realization of low on-resistance FLYMOS/spl trade/ transistors dedicated to automotive applications

F. Morancho, J.-M. Reynes, S. Alves, 2005, 2005 European Conference on Power Electronics and Applications.

The on-resistance limits of high cell density power MOSFET's

F. Morancho, P. Rossel, H. Tranduc, 1997, 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings.

TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE POWER MOST ON-STATE RESISTANCE

H. Tranduc, P. Rossel, Tp Pham, 1982 .

Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs

Karine Isoird, Yann Weber, Jean-Michel Reynes, 2008, Microelectron. J..

Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court

P. Rossel, H. Tranduc, G. Sarrabayrouse, 1980 .

Le transistor M.O.S. de puissance en régime de saturation : la résistance de saturation et les effets de faible multiplication

P. Rossel, H. Tranduc, T. Phan Pham, 1982 .

Limitation fondamentale dans les transistors MOS de puissance ; le compromis entre la résistance à l'état passant RON et la tension de claquage VDBR

P. Rossel, H. Tranduc, T. Phan Pham, 1981 .

Détermination expérimentale des paramètres des transistors MOS

P. Rossel, Jean-Louis Sanchez, H. Tranduc, 1983 .

Premier et second claquages dans les transistors M.O.S.

P. Rossel, H. Tranduc, H. Tranduc, 1984 .

Protection des transistors MOS en régime de deuxième claquage

P. Rossel, H. Tranduc, H. Tranduc, 1982 .