Maria Tchernycheva
发表
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Intersubband spectroscopy of doped and undoped GaN/AlN quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
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Short wavelength (λ=2.13μm) intersubband luminescence from GaN∕AlN quantum wells at room temperature
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Heike Riel,
Lars Samuelson,
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IEEE Journal of Photovoltaics.