D. Quan

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Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. I: Etude du phénomène de compensation

P. Favennec, A. L. Bloa, D. Quan, 1989 .

Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds

P. Favennec, A. L. Bloa, D. Quan, 1989 .

Réalisation et études des couches minces évaporées de SnSe2

D. Quan, J. L. Fèvre, 1982 .

Stabilisation de couches minces de CdSe par traitement thermique sous vide

A. Baron, D. Quan, F. Raoult, 1979 .

Propriétés magnétiques et electriques en relation avec leur structure, des composés MMo2S4 (M = V, Cr, Fe, Co)

M. Sergent, Roger Chevrel, Y. Colin, 1974 .

Mesure simultanée du pouvoir thermoélectrique et de la conductivité thermique de petits échantillons de 100 à 300 K

D. Bideau, D. Quan, J. Meury, 1978 .

Proprietes electriques des composes MMo2S4 (M = V, Cr, Fe, Co) enregistrement du pouvoir thermoelectrique entre 90 et 350°K

D. Bideau, D. Quan, J. Meury, 1976 .

Méthode DDLTS utilisant une détection synchrone : application au GaAs implanté en oxygène

P. Favennec, A. L. Bloa, D. Quan, 1986 .