進藤 佳彦

24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

松永 泰彦, Bo Lei, 常盤 直哉, 2011 .