勉八尾

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4.3mΩcm2，1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET

信介原田, 光央岡本, 勉八尾, 2007 .

SiCショットキーバリアダイオードの高 di/dt スイッチング特性

勉八尾, 和雄荒井, 和人高尾, 2004 .