손문회

Method and for circuit controlling isolation gates of semiconductor memory device

신충선, 한진만, 손문회, 1997 .

기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 C-V 특성 ( C-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )

박종태, 김봉열, 양광선, 1990 .