투명 PI 기판에 증착된 IZTO 박막의 유연 신뢰성 평가

본 연구에서는 고가의 In 함량을 염가의 Zn으로 치환시킨 In₂O₃(70wt.%)-ZnO(15wt.%)-SnO₂(15wt.%)의 indium이 15~20wt.% 절감된 IZTO target을 제조하여 pulsed DC magnetron sputtering 방법으로 IZTO 박막을 증착하였다. 이때 증착 공정 변수 중 투명전극 박막에 가장 영향을 크게 미치는 공정 가스인 Ar과 O₂의 혼합비에 따른 박막의 특성을 분석하였다. 그리고 Flexible Display 소자의 투명전극으로 응용을 위한 박막의 기계적 특성을 검토하였다.