Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
暂无分享，去创建一个
[1] P. Węgierek,et al. Effect of ion implantation and annealing on the dielectric properties of silicon , 1997 .
[2] R. Newman,et al. An optical study of defects in silicon irradiated with fast neutrons , 1975 .
[3] Fadei F. Komarov,et al. Model przewodności skokowej i jego weryfikacja dla nanostruktur wytwarzanych technikami jonowymi , 2008 .