유기기판 위에 제작된 Short-channel SPC Si TFT의 신뢰성에 관한 연구

본 논문에서는 짧은 채널(3㎛)을 갖는 SPC-Si TFT의 안정성에 대하여 연구하였다. DC-bias 스트레스 조건하에서 짧은 채널의 SPC-Si TFT의 문턱전압은 긴 채널을 갖는 SPC-Si TFT에 비해 더 많이 하였다. V GS -15V, V DS -15V를 10,000초 동안 가하여 주었을 경우 짧은 채널을 갖는 SPC-Si TFT의 문턱전압은 약 1.39V 증가하였고 AC-bias 스트레스를 20,000초 정도 가하여 주었을 경우 문턱전압은 0.59V정도 증가하였다.