Ground State and Electronic Properties of Silicon Carbide and Boron Nitride

The results of ab-initio calculations of the ground state and electronic properties of the IV-IV and III–V compounds, SiC and BN, are presented. These properties are derived from the total ground state energy of the crystal calculated in the local density approximation and from the one-Particle Kohn-Sham equations. The ab-initio norm-conserving non-local pseudopotential of Bachelet, Hamann, and Schluter is used. The bulk modulus, its pressure coefficients, and the pressure coefficients of the electron energy differences between the top valence band and lowest conduction bands are also derived. The results are compared with the few existing measurements and with calculations by other investigators. Die Ergebnisse von ab-initio-Berechnungen des Grundzustands und der elektronischen Eigenschaften der IV–IV- und III–V-Verbindungen, SiC und BN werden mitgeteilt. Diese Eigenschaften werden aus der Gesamtgrundzustandsenergie abgeleitet, die in der lokalen Dischtenaherung und mit Einteilchen-Kohn-Sham-Gleichungen berechnet wird. Das normerhaltene, nichtlokale abinitio-Pseudopotential von Bachelet, Hamann und Schluter wird benutzt. Der Elastizitatsmoudul, seine Druckkoeffizienten und die Druckkoeffizienten der Elektronenenergiedifferenzen zwischen dem hochsten Valenzband und dem niedrigsten Leitungsband werden ebenfalls abgeleitet. Die Ergebnisse werden mit einigen existierenden Messungen und mit Berechnungen anderer Autoren verglichen.