论文信息 - HBM ESD robustness of GaN-on-Si Schottky diodes - 字舞流文

HBM ESD robustness of GaN-on-Si Schottky diodes

D. Linten | S. Decoutere | G. Groeseneken | M. Scholz | S. Bychikhin | D. Pogany | A. Griffoni | P. Hopper | A. Gallerano | M. Van Hove | P. Srivastava | D. Marcon | S. Thijs | A. Concannon | V. Vashchenko | S.-H. Chen | D. LaFonteese