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Poly-silicon IR source의 thermal stress 및 방사특성 평가
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본 연구에서는 적외선 가스 센서용 IR source에 대한 연구를 진행하였다. MEMS 공정을 이용하여 poly-silicon을 IR source의 발열체로 사용하였다. Chip size는 2×2㎜ 이며 membrane의 면적은 1×1㎜로 설계, 제작 하였다. 제작된 IR source의 적외선 방출 특성을 적외선 카메라를 이용하여 관찰하 였으며, 같은 온도에서의 thermal stress에 대한 관찰도 진행하였다.
이대성
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신규식
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황학인
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