Les caracteristiques electriques de SiC-β monocristallin depose sur Si et d'heterojonctions SiC/Si sont etudiees pour decider de leur convenance pour les transistors bipolaires a heterojonctions. L'implantation d'ions arsenic et phosphore suivie de recuit au four donne des couches SiC de type n'ayant une resistance de couche de plusieurs centaines d'ohms par carre. Les caracteristiques courant-tension sont de la forme J=J S exp (qV'nkT), avec n∼1,35. Des transistors bipolaires a heterojonctions utilisant SiC comme emetteur a grande bande interdite sont fabriques pour la premiere fois et compares aux transistors de meme type en silicium. Pour des nombres de Gummell eleves, la performance des transistors a emetteur en SiC est superieure