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Effect of deposition conditions of poly Si1−xGex films and Ge atoms on the electrical properties of poly Si1−xGex (x=0,0.6)/HfO2 gate stack
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S. Nam
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B. Min
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M. Cho
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D. Ko
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Sung-Kwan Kang
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Suheun Nam
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B. G. Min
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S. Kang
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