Transmutation Doping of Indium Phosphide and Gallium Arsenide Due to Protons and α‐Particles

Nuclear doping due to charged particles (protons and α-particles) in GaAs and InP is analysed. The analysis results in the conclusion about the donor and acceptor doping efficiency by irradiation. The nuclear doping process is investigated by the compact cylclotron MGC-20, proton and α-particle energies being about 15 to 20 MeV. It is shown that the most effective nuclear doping of gallium arsenide and indium phosphide is achieved with donor impurities (selenium, germanium for GaAs and sulphur, tin for InP) by α-particle irradiation. Kerndotierung durch geladene Teilchen (Protonen und α-Teilchen) in GaAs und InP wird untersucht. Die Analyse gibt Hinweise fur die Donator- und Akzeptor-Dotierungseffizienz durch Bestrahlung. Der Kerndotierungsprozes wird mittels Zyklotron MGC-20 untersucht, wobei die Energien der Protonen und α-Teilchen bei etwa 15 bis 20 MeV liegen. Es wird gezeigt, das die effektivste Kerndotierung von GaAs und InP mit Donatorstorstellen (Selen, Germanium fur GaAs und Schwefel, Zinn fur InP) durch α-Teilchenbestrahlung erreicht wird.