Oxyde supraconducteur haute temperature et son procede de production

La presente invention concerne un oxyde supraconducteur haute temperature dans lequel un film mince d'oxyde supraconducteur a structure cristalline parfaite et presentant une excellente orientation des cristaux, est forme sur un substrat cristallin a faible constante dielectrique, ainsi que son procede de production. Lorsqu'on produit un oxyde supraconducteur haute temperature dans lequel un film mince d'oxyde supraconducteur haute temperature, contenant Ba en tant qu'element constitutif, est forme sur un substrat a face R (1, -1, 0, 2) en saphir; une premiere couche tampon realisee en CeO3 servant a relaxer le mesappariement des structures cristallines existant entre le substrat a face R (1, -1, 0, 2) en saphir et le film mince d'oxyde supraconducteur haute temperature, est formee sur le substrat a face R (1, -1, 0, 2) en saphir; une deuxieme couche tampon dans laquelle l'element constitutif Ba de l'oxyde supraconducteur haute temperature est remplace par Sr, est formee sur la premiere couche tampon; et un film mince d'oxyde supraconducteur haute temperature croit de maniere epitaxiale sur la deuxieme couche tampon. Meme si la matiere de la premiere couche tampon prevue pour relaxer le mesappariement de la structure cristalline du film mince d'oxyde supraconducteur haute temperature tend a provoquer une reaction interfaciale avec l'element constitutif Ba du film mince d'oxyde supraconducteur haute temperature, la deuxieme couche tampon empeche cette reaction interfaciale, ce qui permet a un film mince d'oxyde supraconducteur haute temperature de croitre de maniere epitaxiale, ledit film mince d'oxyde supraconducteur haute temperature presentant des cristaux parfaits et une excellente orientation desdits cristaux.