LAM 공정 응용을 위한 나선형 인덕터의 구조에 대한 시뮬레이션

기존 반도체공정들이 갖는 리소그래피와 식각 등의 공정단계를 배제하는 direct-write 공정을 이용하여 친환경적인 이점을 가질 수 있는 나선형 인덕터의 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 300㎛, SiO₂를 3㎛으로 하였으며, Cu 코일의 폭과 선간의 간격은 LAM 공정과 direct-write 공정을 이용할 수 있도록 각각 100㎛으로 설정하여 3회 권선하였다. 인덕터는 200-500㎒ 범위에서 3.5nH의 인덕턴스, 4㎓에서 최대 29 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 2.6㎓로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.