Improvements in low temperature (<625°C) FDSOI devices down to 30nm gate length
暂无分享,去创建一个
X. Garros | J. Mazurier | O. Faynot | P. Batude | M. Vinet | A. Toffoli | F. Allain | C. Tabone | L. Brevard | B. Previtali | M. Casse | A. Pouydebasque | R. Kies | Q. Rafhay | T. Poiroux | C. Le Royer | C. Tavernier | B. Sklenard | M. Mouis | J. Berthoz | L. Brunet | B. Colombeau | S. Morvan | C. Xu | A. Pakfar | F. A. Khaja | J. Hartmann