Wave-vector dependence of Raman scattering intensity in folded modes of long-period alpha -SiC.

On observe que l'intensite Raman relative de plusieurs modes acoustiques transverses lies, dans des polytypes de carbure de silicium, varie nettement avec le vecteur d'onde de diffusion q des phonons sous conditions de resonance attenuees. On deduit une expression simple par l'intensite dependante de q de la diffusion Raman, en se fondant sur le concept de polarisabilite de liaison. On calcul la variation de l'intensite avec q en utilisant les deplacements atomiques obtenus a partir d'un modele de chaine lineaire