文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
InGaAs metal-semiconductor field-effect transistor with Langmuir-Blodgett deposited gate structure
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
W. K. Chan
|
N. E. Schlotter
|
G. Chang
|
R. Bhat
保存到论文桶