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Selective Etching of HfO2 by Using Inductively-Coupled Ar/C4F8 Plasmas and the Removal of Etch Residue on Si by Using an O2 Plasma Treatment
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Sang‐Woo Kim
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K. Min
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C. Kang
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G. Yeom
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S. Heo
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B. J. Park
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H. Hwang
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S. Kang
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