Semiconductor memory device for controlling refresh operation of redundancy memory cells

본 발명은 리던던시 메모리 셀의 리프레쉬 동작을 제어하는 반도체 메모리 장치에 대하여 개시된다. 반도체 메모리 장치는, 노멀 메모리 셀 로우들과 불량 셀이 연결되는 노멀 메모리 로우를 리페어하는 리던던시 메모리 셀 로우들, 그리고 불량 셀을 구제하기 위한 패리티 비트들을 저장하는 ECC 메모리 셀 로우를 포함한다. 노멀 메모리 셀 로우들은 제1 리프레쉬 주기로 리프레쉬된다. 리던던시 메모리 셀 로우들, 노멀 메모리 셀 로우들 중 리던던시 메모리 셀 로우와 인접한 에지 메모리 셀 로우, 그리고 ECC 메모리 셀 로우는 제1 리프레쉬 주기와는 다른 제2 리프레쉬 주기로 리프레쉬된다.