Power, low read disturbance nonvolatile memory device and precharging method and read method thereof

본 발명에 따른 비휘발성 메모리 장치는: 복수의 워드라인들 및 복수의 비트라인들이 교차하여 배열된 복수의 메모리 셀들을 갖고, 각각의 워드라인에 연결된 인접한 적어도 2개의 메모리 셀들로 구성된 제 1 페이지 영역 및 상기 워드라인에 연결된 인접한 적어도 2개의 메모리 셀들로 구성된 제 2 페이지 영역을 포함하는 메모리 셀 어레이; 상기 제 1 페이지 영역의 메모리 셀들이 공통으로 접지되는 제 1 공통소스라인; 및 상기 제 2 페이지 영역의 메모리 셀들이 공통으로 접지되는 제 2 공통소스라인을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 공통소스라인들은 각각 분리되어 제어된다. 독출 디스터번스 감소, 비트라인 스위치 회로, 레이아웃