Density dependence of intersubband transitions in a modulation-doped quantum well.
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Presentation de resultats de diffusion Raman sur un puits quantique simple de GaAs de haute qualite dope par modulation. Analyse du changement dans l'energie de transition entre les niveaux quantiques occupe le plus bas, et le premier excite, inoccupe en fonction de la densite electronique dans le puits qu'on peut faire varier en utilisant une illumination supplementaire. Cette variation est qualitativement reproduite en prenant en compte la modification correspondante dans le potentiel electrostatique autocoherent. On a ainsi un nouvel apercu de la renormalisation des etats electroniques en presence de porteurs