Ultrafast heating of silicon on sapphire by femtosecond optical pulses.

Etude de l'evolution de l'indice de refraction n+ik d'une couche optiquement mince, apres photoexcitation par impulsions de l'ordre de la femtoseconde, au-dessous de la fluence-seuil de fusion, et determination de la vitesse de l'elevation de la temperature du reseau; mise en evidence d'un retard par rapport a la photoexcitation, interprete par le role dominant de la recombinaison Auger