Magnetotransport in nanostructured Ni films electrodeposited on Si substrate

The study of electrical resistivity  and magnetoresistance MR in nanogranular Ni films was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction B up to 8 T. The Ni layers having a thickness of about 500 nm were prepared by electrodeposition on n- Si wafers. According to an X-ray diffraction study, a strongly textured face-centered cubic structure was formed in the as-deposited films with an average grain sizes of about 10 - 70 nm. Experiments have demonstrated that the magnetic field and temperature dependences of the MR effect in Ni films shown two main peculiarities: (1) dependencies on the mutual orientations of vectors B, current and the film plane; (2) two contributions to the MR - negative anisotropic magnetoresistance and positive Lorentz-like MR. Streszczenie. W pracy przedstawiono badania rezystywności  i magnetorezystancji MR w cienkich nanoziarnistych warstwach Ni, ktore wykonano w temperaturach z przedzialu 2 - 300 K oraz indukcji pola magnetycznego B wiekszej od 8 T. Warstwy Ni posiadaly grubośc okolo 500 nm i zostaly wykonane za pomocą galwanizacji na wafle krzemu n-Si. Wedlug dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, w nowo wytworzonych cienkich warstwach uformowala sie regularna struktura powierzchniowo centrowana o średniej wielkości ziaren 10 - 70 nm. Doświadczenia wykazaly, ze w cienkich warstwach Ni w zalezności od MR i temperatury wystepują dwie glowne cechy szczegolne: (1) zaleznośc od wzajemnej orientacji wektorow: indukcji pola magnetycznego B, kierunku prądu i plaszczyzny cienkiej warstwy, (2) dwie skladowe MR - ujemna anizotropowa i dodatnia typu Lorenza. (Magnetoprzewodzenie w nanostrukturalnych cienkich warstwach Ni osadzanych galwanicznie na podlozu Si).