Method for signal implant in making processing of mask type read-only memory

本发明提供了一种在掩膜式只读存储器制造工艺中进行信号注入的方法，其特征在于，所用的掩膜由硬质材料构成，所述的硬质材料优选为钨、氮化硅和二氧化硅。 该方法克服了原来的光刻胶掩膜显影后容易脱落的缺点，提高了成品率，而且有助于将掩膜式只读存储器的尺度降低到0.13μm以下。