文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300°C
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
Denis Flandre
|
Benjamin Iniguez
|
Joao Antonio Martino
|
Marcello Bellodi
保存到论文桶