Dislocations d'interface et dfauts de volume dans l'htrostructure GaSb/GaAs

Résumé. 2014 Du GaSb a été déposé sur du GaAs par épitaxie par jets moléculaires à 470 °C. A cette température la croissance est tridimensionnelle dans les premiers stades de l’épitaxie. Après coalescence des îlots de GaSb, la croissance devient bidimensionnelle. Les dislocations liées au désaccord paramétrique de 8 % sont toutes de type Lomer. Elles sont organisées en réseau périodique à deux dimensions. La très faible densité de défauts expérimentalement observée est liée au nombre réduit d’imperfections qui existent au niveau du système de dislocations d’interface. Abstract. 2014 GaSb on GaAs has been grown by Molecular Beam Epitaxy at 470 °C. At this temperature a 3-dimensional growth mode occurs at the first stage of the epitaxy. After GaSb island coalescence the growth mode becomes 2-dimensional. Misfit dislocations, due to a 8 % lattice mismatch, are Lomer type. The misfit dislocation network is well organized as a regular array. The very low density of threading defects is related to the low number of imperfections of this misfit dislocation network.