论文信息 - Numerical Simulation of the Read Disturb Behavior on the ONO Scaling Margin in SONOS Flash Memory - 字舞流文

Numerical Simulation of the Read Disturb Behavior on the ONO Scaling Margin in SONOS Flash Memory

Y. J. Chen | C. H. Lee | W. P. Lu | K. F. Chen | T. T. Han | T. Wang | N. K. Zous | K. C. Chen | J. Y. Hsieh | C. W. Wu | S. W. Lin | T. H. Yeh | S. H. Gu | I. J. Huang | M. S. Chen | C. Y. Lu

[1] K. Ng,et al. The Physics of Semiconductor Devices , 2019, Springer Proceedings in Physics.