Photodielectric effect in photoconductors

An improved model of the photodielectric effect in photoconductors including the effect of traps is given. The PDE equations for the fractional change in capacitance and conductance, which are closely related to Debye length and the ratio nt/n0, are derived. Good agreement of the experimental results with theory for ZnO photocapacitor shows the potential applicability of the improved model for real photoconductors. Es wird ein verbessertes Modell des photodielektrischen Effects in Photoleitern einschlieslich des Einflusses von Haftstellen angegeben. Die PDE-Gleichungen fur die Teilanderungen der Kapazitanz und Leitfahigkeit werden abgeleitet, die eng verknupft sind mit der Debye-Lange und dem nt/n0-Verhaltnis. Die gute Ubereinstimmung der experimentellen Ergebnisse mit der Theorie fur ZnO-Photokondensatoren zeigt die Anwendungsmoglichkeit des verbesserten Modells fur reale Photoleiter.