Electron-optical-phonon interaction in semiconductor multiple-quantum-well structures.

La transition hydrogenoide 1s-2p (m=+1), dans des champs magnetiques allant jusqu'a 20 T pour des impuretes donneuses peu profondes confinees dans les puits GaAs du puits quantique multiple AlGaAs/GaAs, est utilisee pour etudier l'interaction electron-phonon optique. Les resultats sont expliques en termes d'interaction des electrons avec les phonons optiques longitudinaux actives par le superreseau pres des limites de zone