반도체 웨이퍼의 온도 측정에 관한 연구

사용되는 대구경 웨이퍼 가열 및 냉각용 플레이트는 감광막(Photo-resist) 도포 전 감광막의접착력을 증진시키고, 도포 후 감광막내의 솔벤트, 폴리머, 센시타이저 등의 성분을 안정화하여임계선폭(Critical Dimension)의 조정을 용이하게하는 기능을 가지며, 반도체 Track 공정 중에서HMDS처리, Soft Bake, Post ExposureBake(PEB), Hard bake 등의 공정단계에서 이러한 플레이트는 4～10개가 다량으로 사용된다. 이러한 반도체 웨이퍼 공정에서 웨이퍼 전체온도의균일화 및 온도제어 정밀도가 임계선폭 형성에결정적인 역할을 하기 때문에 목표온도의 정밀도및 균일성이 무엇보다도 중요하다.현재까지 국내의 삼성, 하이닉스 등 반도체 대기업에서는 핫플레이트 및 쿨플레이트의 표면온도를 측정하는 방법으로는 SensArray社의RTD(PT1,000Ω)타입의 표면온도측정 시스템을 사용하고 있으며, 전량 수입에 의존하고 있는 실정으로 고가의 장비가격, 충격 등에 쉽게 파손되는 유지보수의 문제점 및 독점화된 국내외 시장상황 등으로 국산화 기술개발이 매우 절실하다. 따라서 본 연구에서는 수요기업의 요구조건 및시장상황에 맞도록 단가를 낮추고, 이용 편리성을 높인 웨이퍼 표면온도 측정 방안을 제안하고자 하였다.