변조 도핑된 SMQW - PBH - DFB - LD의 고속변조 특성

초고속 광통신을 위한 고속변조용 단일모드 반도체레이저로서 변조 도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD를 제작하고, 변조특성을 측정 하였다. 제작된 소자의 최소 임계전류는 16.0㎃, 최대 slope efficiency는 0.275㎽/㎃ 였다. 고속변조를 위한 활성층의 변조도핑으로 소자의 내부손실은 37 ㎝-¹로 크게 주어졌으나, 이득계수의 증가에 따라 선폭확대계수는 1.8로 감소 되었다. 소신호 변조 특성 측정 결과, 46㎃(I_(th)+30 ㎃) 에서의 공진주파수 8 ㎓, -3dB 차단주파수 10 ㎓ 이상으로서 고속변조 특성이 우수한 변조도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD를 시험 제작하였다.