Einfluß von Temper‐ und Diffusionsprozessen auf die Trägerlebensdauer in Silizium

In p-Silizium wurde die Anderung der Lebensdauer der Minoritatstrager durch einige fur die Gleichrichterherstellung typische Temper- und Diffusionsprozessen untersucht. Eine Temperung in Stickstoff oder Sauerstoff ergab in Abhangigkeit von der Lebensdauer der ungetemperten Proben eine Vergroserung bzw. Verkleinerung der Lebensdauer. Bei der Phosphordiffusion aus einer P4O10-Quelle wurde die Lebensdauer erhoht bei fehlender Getterung wird sie verkleinert oder bleibt ungeandert. Die Ergebnisse deuten darauf him, das durch die Getterung die Einfangwahrscheinlichkeit der Versetzungen fur Minoritatstrager verkleinert wird und Minoritatstragerlebensdauern > 102 μs durch die Versetzungsdichte begrenzt sind. An investigation is made of the change in the lifetime of minority carriers in p-type silicon caused by some annealing and diffusion processes which are used in the production of rectifiers. Annealing in nitrogen or oxygen gives an increase or decrease, depending on the lifetime before annealing, Phosphorus diffusion from a P4O10 source increases the lifetime; in the absence of the getter effect the lifetime is reduced or is unchanged. The results suggest that the getter effect reduces the capture probability of dislocations for minority carriers and that minority carrier lifetimes > 102 μs are limited by the dislocation density.