Observation of the double-step-single-step transition on a vicinal surface of Si(100).

Les faces vicinales Si(100) possedent une reconstruction a double ou simple marches, dependamment de l'angle de decoupe de la surface. Dans l'experience de diffusion des atomes d'helium effectuee, on examine la reconstruction de la face Si(1117) en fonction de la temperature. L'angle (4,76 o ) est choisi de sorte qu'il soit situe au dessus du seuil ou il se forme toujours les marches doubles. On observe une forte modification structurale aux temperatures elevees (au dessous de 800 K), qui est interpretee comme l'apparition de la reconstruction a une marche. On considere les modeles theoriques recents predisant cette transition et on effectue un calcul sur cette base en utilisant les valeurs experimentales de l'energie des decrochements sur ces marches, publiees recemment