Hot carrier 및 NBTI 에 의한 P채널 MuGFET 소자열화

본 논문에서는 hot carrier와 NBTI에 의한 p-channel MuGFETs(Multiple Gate FETs) 소자열화 특성을 측정 분석 하였다. 채널 폭에 따른 소자열화를 분석하기 위하여 fin 높이는 60nm 이며, 폭은 55nm, 60nm, 65nm, 3종류의 tripple gate 형태인 MuGFET 를 측정하였다. 보다 정확한 NBTI 측정을 위하여 on-the-f1y 방법을 사용했으며, 포화 드레인 전류량 변화로 소자의 열화 정도를 온도 변화와 스트레스 시간에 따라 분석 하였다. NBTI 스트레스 후에는 fin width가 좁을수록 소자열화가 증가하였고, hot carrier 스트레스의 경우는 fin width가 넓을수록 소자열화가 증가하였다. Hot carrier와 NBTI 스트레스 모두 온도가 높아질수록 소자열화가 증가했는데, hot carrier 스트레스의 경우 온도가 증가하고 fin width가 넓어질수록 hot carrier와 NBTI의 상호작용으로 인해 소자열화가 증가하는 것으로 사료된다.