Method of manufacturing a transistor wherein the stress applied to the channel is increased

Procede de realisation d'un transistor sur une couche en un premier materiau semi-conducteur cristallin pour la realisation d'un canal, deposee sur une couche de dielectrique, le procede comportant les etapes: - croissance par epitaxie de zones en un deuxieme materiau semi-conducteur sur la couche en un premier materiau semi-conducteur cristallin, de sorte a former des blocs de source et de drain avec la couche en un premier materiau semi-conducteur cristallin de part et d'autre du canal, le deuxieme materiau semi-conducteur ayant un parametre de maille different de celui du premier materiau semi-conducteur, - amorphisation en profondeur d'une partie des zones en un deuxieme materiau semi-conducteur de sorte a ne conserver qu'une couche de deuxieme materiau semi-conducteur cristallin en surface des blocs de source et de drain, et amorphisation des zones de la couche en un premier materiau semi-conducteur situees sous les zones en deuxieme materiau semi-co nducteur, - recristallisation des blocs de source et de drain de sorte que le deuxieme materiau semi-conducteur impose son parametre de maille aux zones de source et de drain.