Influence of nitride and oxide cap layers upon the annealing of 1.3 μm GaInNAs/GaAs quantum wells
暂无分享,去创建一个
H. F. Liu | T. Jouhti | M. Pessa | S. Karirinne | C. Peng | J. Likonen | J. Konttinen | H. Liu
暂无分享,去创建一个
H. F. Liu | T. Jouhti | M. Pessa | S. Karirinne | C. Peng | J. Likonen | J. Konttinen | H. Liu