Integrated Variability Measurements of 28 nm FDSOI MOSFETs down to 4.2 K for Cryogenic CMOS Applications
暂无分享,去创建一个
G. Ghibaudo | M. Cassé | S. Haendler | M. Vinet | A. Juge | B. C. Paz | G. Pillonnet | T. Meunier | F. Gaillard | E. Vincent | G. Billiot | P. Galy | L. L. Guevel | A. Jansen | S. D. Franceschi