플래시 메모리의 ECC 무결성을 보장하기 위한 IRAW ECC

NAND 플래시 메모리는 적은 전력 소비와 강한 내구성, 가벼운 무게와 작은 크기 측면에서 기존의 자기디스크 보다 우수하여 내장형 시스템의 저장매체로 많이 사용된다. 뿐만 아니라 SSO(Solid State Disk Drive)와 같은 대용량 저장장치에 사용되어 하드디스크의 대체 수단으로 각광받고 있다. NAND 플래시 메모리는 전기적 충격에 약하여 이로 인한 읽기/쓰기 오류가 발생할 수 있기 때문에 ECC(Error Correcti on Code) 검사를 통하여 신뢰성을 보장한다. 그러나 NAND 플래시 메모리의 용량 및 집적도의 증가로 인하여 오류 확률이 높아짐에 따라 신뢰성 연구가 더욱 중요해지고 있다. 본 논문에서는 RAW(Read After Write) ECC와 IRAW(Idle Read After Write) ECC를 제안하여 NAND 플래시 메모리의 신뢰성을 향상시킨다. 제안된 방법은 하드디스크의 RAW와 IRAW 기법을 NAND 플래시 메모리의 ECC 검사와 함께 사용하여 ECC의 무결성을 보장한다. 특히 lRAW ECC는 유휴시간(Idle time)을 활용하여 RAW ECC의 단점인 오류 검사 작업에 의한 성능 저하를 99% 이상 감소시켰다.