Studies of Surface Recombination Processes in Photo‐Excited VPE‐GaP:N, Te

The room-temperature luminescence decay of nitrogen and tellurium-doped VPE-GaP epitaxial layers is investigated in dependence on the exciting photon energy hν. For increasing excitation energies a strong non-exponential decay behaviour is observed which is unambiguously associated with surface recombination processes. Their influence on the time behaviour of the optically excited minority carrier system is described by a simple theoretical model. Using this model the surface recombination velocity s is determined in dependence on different chemical surface preparation techniques. Typical values of s are in the range 2 × 103 to 2 × 105 cm s−1. Das Lumineszenzabklingen von stickstoff- und tellurdotierten VPE-GaP Epitaxieschichten wird bei Zimmertemperatur in Abhangigkeit der anregenden Photonenenergie hν untersucht. Fur steigende Anregungsenergien wird ein nichtexponentielles Abklingverhalten beobachtet, das eindeutig mit Oberflachenrekombinationsprozessen in Verbindung steht. Der Einflus dieses Rekombinationsmechanismus auf das Zeitverhalten des optisch angeregten Minoritatstragersystems wird durch ein einfaches theoretisches Modell beschrieben. Unter Verwendung dieses Modells wird die Oberflachenrekombinationsgeschwindigkeit s in Abhangigkeit verschiedener Oberflachenpraparationstechniken ermittelt. Typische Werte von s liegen im Bereich von 2 × 103 bis 2 × 105 cm s−1.