Spatial modulation of the Fermi level by coherent illumination of undoped GaAs.

La modulation spatiale par le gelage optique des defauts EL2 du GaAs. Le gradient spatial du niveau de Fermi est a l'origine de champs electriques internes bien superieurs a ceux generes par la seule diffusion thermique. La structure de bande resultante est equivalente a une structure p-i-p periodique a dopage module faisant alterner les couches isolantes et a la conductivite de type p. Les champs internes sont detectes par un effet electrooptique different de l'effet photorefractif normal