Der in der vorangehenden Arbeit abgeleitete Ausdruck fur die Photospannung wird auf den p—n-Ubergang, den Metall—Photoleiter-Kontakt und die freie Oberflache eines Photoleiters angewandt. Fur kleine Beleuchtungsstarken, bei denen sich die Majoritatstrager-Konzentration nicht andert, ergeben sich dabei schon bekannte Ausdrucke. Berucksichtigt man bei starker Beleuchtung, das die zusatzlichen Majoritatstrager- und Minoritatstrager-Konzentrationen nicht gleich zu sein brauchen, lassen sich auch experimentell gefundene Effekte wie die Anderung des Vorzeichens der Photospannung als Funktion der Beleuchtungsstarke oder der Wellenlange des eingestrahlten Lichts verstehen.
The expression for the photovoltage derived in the preceding paper is applied to a p—n junction, a metal-photoconductor contact, and the free photoconductor surface. For small light intensities, for which the majority carrier concentration is not altered, the well-known expressions are obtained. If it is assumed that for strong illumination the additional majority and minority carrier concentrations are not necessarily equal several experimentally observed effects can be deduced. One such effect is the change of sign of the photovoltage as a function of the intensity and wavelength of the incident light.